| 標題: | 氧化鋯金屬橋接電阻式記憶體轉態特性優化之研究 Investigation and Optimization of Switching Characteristics in ZrO2-base Conductive Bridge Resistive Random Access Memory |
| 作者: | 江法伸 Jiang, Fa-Shen 曾俊元 Tseng, Tseung-Yuen 電子工程學系 電子研究所 |
| 關鍵字: | 電阻式記憶體;氧化鋯;銅;熱傳導係數;Resistive random access memory;ZrO2;Copper;Thermal conductivity |
| 公開日期: | 2015 |
| URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070250159 http://hdl.handle.net/11536/126618 |
| Appears in Collections: | Thesis |
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