應用於深次20奈米快閃記憶體之錯誤處理方法

标题:	应用于深次20奈米快闪记忆体之错误处理方法 Advance Error Handling for Deep Sub-20nm NAND Flash Memory
作者:	林纬 Lin Wei 张俊彦 Chang,Chun-Yen 电子工程学系电子研究所
关键字:	快闪记忆体;数位讯号处理;错误更正码;NAND Flash Memory;DSP;ECC
公开日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079811562 http://hdl.handle.net/11536/127333
显示于类别：	Thesis

APA	林., Lin W., 张., & C. (2015). 应用于深次20奈米快闪记忆体之错误处理方法. http://hdl.handle.net/11536/127333.
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