應用於多階儲存單元快閃記憶體之系統可靠度改善方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	許祐誠	en_US
dc.contributor.author	Hsu, Yu-Cheng	en_US
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	Chang, Chun-Yen	en_US
dc.date.accessioned	2015-11-26T01:02:20Z	-
dc.date.available	2015-11-26T01:02:20Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079811546	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/127341	-
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	快閃記憶體	zh_TW
dc.subject	多階儲存單元	zh_TW
dc.subject	系統可靠度	zh_TW
dc.subject	System Reliability	en_US
dc.subject	Multi-Level per Cell	en_US
dc.subject	NAND Flash Memory	en_US
dc.title	應用於多階儲存單元快閃記憶體之系統可靠度改善方法	zh_TW
dc.title	The System Reliability Extending for Multi-Level per Cell NAND Flash Memory	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子工程學系電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文