標題: | 利用二階段成長法成長垂直式砷化銦奈米線在矽基版之研究 Investigation of Vertical InAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Two-step Growth Technique |
作者: | 洪育智 Hung,Yu-Chih 張翼 馬哲申 Chang, Edward Yi Maa,Jershen 光電系統研究所 |
關鍵字: | 三五族半導體 砷化銦 奈米線 金屬有機化學氣象沉積;III-V semiconductor InAs Nanowire MOCVD |
公開日期: | 2015 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070258024 http://hdl.handle.net/11536/127780 |
顯示於類別: | 畢業論文 |