利用二階段成長法成長垂直式砷化銦奈米線在矽基版之研究

標題:	利用二階段成長法成長垂直式砷化銦奈米線在矽基版之研究 Investigation of Vertical InAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Two-step Growth Technique
作者:	洪育智 Hung,Yu-Chih 張翼馬哲申 Chang, Edward Yi Maa,Jershen 光電系統研究所
關鍵字:	三五族半導體砷化銦奈米線金屬有機化學氣象沉積;III-V semiconductor InAs Nanowire MOCVD
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070258024 http://hdl.handle.net/11536/127780
顯示於類別：	畢業論文