標題: | 電荷擷取式3D NAND快閃記憶體可靠性量測及氮化矽內儲存電荷傳輸模擬 3d V-Nand Reliability Characterization and Sin Charge Transport Simulation |
作者: | 汪大暉 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
關鍵字: | ; |
公開日期: | 2016 |
摘要: | |
官方說明文件#: | MOST105-2221-E009-128-MY3 |
URI: | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11896852&docId=490322 http://hdl.handle.net/11536/131933 |
顯示於類別: | 研究計畫 |