金屬及金屬矽化物技術

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張國明	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-249	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59334&docId=8709	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132182	-
dc.description.abstract	在超大型積體電路(VLSI)應用上經常使用鋁,多晶矽,金屬多晶矽化物及金屬矽化物來當活性區接觸或多層間之接道(Via/Plug)材料.然而,這些材料在高密度及高性能極大型積體電路應用上不再滿足需求,因為有較大之縱橫比(Aspect Ratio).較高相互連接電阻電子遷移,及材料極限等問題.本計畫, 我們將以(低溫低壓)電子迴旋加速共振超高真空化學氣相磊晶技術有系統研究W/TiSi/sub 2/或TiN或 TiW或WSix/Si接觸及Al/W/Al接道(Vias/Plug)金屬材料技術在極大型積體電路上(ULSI)應用.全部(Blanket)及選擇性(Selective局部)模式之鎢(W)化學氣相沈積技術將做研究比較.同時研究工作將包含新的反應器設計(冷壁式),新的沈積化學,新的乾式蝕刻技術黏接層,步接覆蓋,平坦化,低溫氧化物,氮化物絕緣層等.氣體流速,流入型態,壓力,基板溫度,支持台旋轉及微波電力等對材料特性效應將被考慮 .實驗分析將包括SEM,TEM,SIMS,RBS,SRM,RGA,DLTS,TDDB,粗糙度(晶粒大小),純度,I-V(接觸電阻及漏電流),C-V及接觸可造度(MTF,電子遷移).本實驗研究結果將提供高性能ULSI,CVD-W技術洽電子工業界.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	極大型積體電路	zh_TW
dc.subject	縱橫比	zh_TW
dc.subject	電子遷移	zh_TW
dc.subject	電子迴旋加速共振	zh_TW
dc.subject	鎢化學氣相沈積	zh_TW
dc.subject	ULSI	en_US
dc.subject	Aspect ratio	en_US
dc.subject	Electromigration	en_US
dc.subject	ECR	en_US
dc.subject	CVD-W	en_US
dc.title	金屬及金屬矽化物技術	zh_TW
dc.title	Metal and Silicide Metallization Technologies	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫