完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 張國明 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2016-12-20T03:57:07Z | - |
dc.date.available | 2016-12-20T03:57:07Z | - |
dc.date.issued | 1993 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC82-0404-E009-249 | zh_TW |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59334&docId=8709 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/132182 | - |
dc.description.abstract | 在超大型積體電路(VLSI)應用上經常使用鋁,多 晶矽,金屬多晶矽化物及金屬矽化物來當活性區 接觸或多層間之接道(Via/Plug)材料.然而,這些材料 在高密度及高性能極大型積體電路應用上不再滿 足需求,因為有較大之縱橫比(Aspect Ratio).較高相 互連接電阻電子遷移,及材料極限等問題.本計畫, 我們將以(低溫低壓)電子迴旋加速共振超高真空 化學氣相磊晶技術有系統研究W/TiSi/sub 2/或TiN或 TiW或WSix/Si接觸及Al/W/Al接道(Vias/Plug)金屬材料技 術在極大型積體電路上(ULSI)應用.全部(Blanket)及 選擇性(Selective局部)模式之鎢(W)化學氣相沈積技術將做研究比較.同時研究工作將包含新的反應 器設計(冷壁式),新的沈積化學,新的乾式蝕刻技 術黏接層,步接覆蓋,平坦化,低溫氧化物,氮化物 絕緣層等.氣體流速,流入型態,壓力,基板溫度,支 持台旋轉及微波電力等對材料特性效應將被考慮 .實驗分析將包括SEM,TEM,SIMS,RBS,SRM,RGA,DLTS,TDDB,粗糙 度(晶粒大小),純度,I-V(接觸電阻及漏電流),C-V及 接觸可造度(MTF,電子遷移).本實驗研究結果將提 供高性能ULSI,CVD-W技術洽電子工業界. | zh_TW |
dc.description.abstract | en_US | |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 極大型積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 縱橫比 | zh_TW |
dc.subject | 電子遷移 | zh_TW |
dc.subject | 電子迴旋加速共振 | zh_TW |
dc.subject | 鎢化學氣相沈積 | zh_TW |
dc.subject | ULSI | en_US |
dc.subject | Aspect ratio | en_US |
dc.subject | Electromigration | en_US |
dc.subject | ECR | en_US |
dc.subject | CVD-W | en_US |
dc.title | 金屬及金屬矽化物技術 | zh_TW |
dc.title | Metal and Silicide Metallization Technologies | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |