化學氣相沈積銅金屬之覆蓋率及填塞率之技術研究

標題:	化學氣相沈積銅金屬之覆蓋率及填塞率之技術研究 Improving of Technology of Step Coverage and Filling Rate of CVD-Cu Metal in IC Fabrication
作者:	吳世全 WU SHICH-CHUAN 國立交通大學毫微米實驗室
關鍵字:	化學氣相沈積法;銅金屬連線;化學機械研磨;填塞率;覆蓋率;極大型積體電路;CVD;Copper metal interconnection;Chemical mechanical polishing;Filling rate;Conformality;ULSI
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2215-E317-007
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94273 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418231&docId=74196
顯示於類別：	研究計畫