鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II)

標題:	鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II) Study on Pt-Poly Si System Relevant to VLSI Applications(II)
作者:	陳茂傑交通大學電子研究所
關鍵字:	可靠度;接觸電阻;障礙層;雜質擴散;多晶矽 ;Reliability;Contact resistance;Barrier layer;Dopant diffusion;Polysilicon
公開日期:	1993
摘要:	矽化鉑(PtSi)具有化學性質穩定,電阻係數低,矽化時消耗矽材體積最小等優點,而且是最早應用到積體電路上的金屬矽化物;但因高溫穩定性不足,用途僅限於雙載子電路的接觸材料.我們在最近兩三年對於Pt-Si(單晶矽)系統在積體應用上的材料性質及製程技術的研究,已經獲得一全面性的基本瞭解和突破,確信在未來次微米元件尺寸繼續縮小及製程溫度繼續降低的必然趨勢下,PtSi 在積體電路的應用上將是最具潛力的金屬矽化物 .然而PtSi的積體電路應用,不僅與單晶的Si基板有關,亦與複晶矽膜(Poly-Si)有密切關聯.
官方說明文件#:	NSC82-0404-E009-237
URI:	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59399&docId=8718 http://hdl.handle.net/11536/132184
顯示於類別：	研究計畫