標題: | 鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II) Study on Pt-Poly Si System Relevant to VLSI Applications(II) |
作者: | 陳茂傑 交通大學電子研究所 |
關鍵字: | 可靠度;接觸電阻;障礙層;雜質擴散;多晶矽 ;Reliability;Contact resistance;Barrier layer;Dopant diffusion;Polysilicon |
公開日期: | 1993 |
摘要: | 矽化鉑(PtSi)具有化學性質穩定,電阻係數低,矽 化時消耗矽材體積最小等優點,而且是最早應用 到積體電路上的金屬矽化物;但因高溫穩定性不 足,用途僅限於雙載子電路的接觸材料.我們在最 近兩三年對於Pt-Si(單晶矽)系統在積體應用上的材料性質及製程技術的研究,已經獲得一全面性 的基本瞭解和突破,確信在未來次微米元件尺寸 繼續縮小及製程溫度繼續降低的必然趨勢下,PtSi 在積體電路的應用上將是最具潛力的金屬矽化物 .然而PtSi的積體電路應用,不僅與單晶的Si基板有 關,亦與複晶矽膜(Poly-Si)有密切關聯. |
官方說明文件#: | NSC82-0404-E009-237 |
URI: | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59399&docId=8718 http://hdl.handle.net/11536/132184 |
顯示於類別: | 研究計畫 |