室溫液相沈積矽氧化膜之特性探討

Abstract

�計畫名稱:室溫液相沈積矽氧化膜之特性探 討�研究背景:微電子製作技術�,矽氧化膜(SiO/sub 2 /)是最佳,廣為採用的絕緣膜.隨著VLSI高積體化,及 LCD的玻璃大面積化,矽氧化膜的製作溫度要求低 溫化.雖然目前PECVD,Photo-CVD等技術已可降低基板 溫度至200 .sim. 300□,但是硬體設備昂貴且有電漿 離子充電等問題,此外該溫度對某些材料基板,如 一般玻璃或金屬Al仍嫌過高.本研究擬利用設備簡 單,經濟的液相沈積技術,在室溫下(.sim. 40 □)成 長矽氧化膜,探討它的物性,電性,並探討它在多層 配導線,LCD-TFT及Passivation等應用之可行性.�實施方法:ぇ利用下列二個基本反應式,於過飽和之H/sub 2/SiF /sub 6/溶液添加H/sub 3/BO/sub 3/,沈積SiO/sub 2/膜.え建立長膜的條件因素,包含濃度,體積,溫度...... 等.ぉ評測沈積膜的物理,化學,電性特性,並改變條件 力求膜質最佳化.�探討沈積膜在應用上之可行性,配合室溫長膜 特點,開發應用.�預期成果ぇ可有效掌握該室溫液相沈積矽氧化膜技術之學 術價值.え可全盤澄清該技術左右膜質的製程條件.ぉ可提供該技術的最佳沈積條件,供應用開發方 面使用.