銅膜之化學氣相沈積法及其在積體電路連線應用上之相關特性研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳茂傑	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:09Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:09Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-400	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=68919&docId=10217	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132222	-
dc.description.abstract	銅(Cu)具有比鋁(Al)和絕大多數金屬更低的電阻率(1.67.mu..OMEGA.-cm for bulk)和優異的電子遷移( Electromigration)抗拒性,已被初步認為是解決未來深次微米(Deep submicron)積體電路連線問題的新希望.本計畫擬以自行設計和組裝建立的冷壁式低壓化學氣相沈積系統(Cold wall LPCVD system), 以有機金屬複合體[ Cu/sup +1/(hfac).bul.Olefin organometallic complexes] 當作Cu-source,以氮氣(N/sub 2/ )或氫氣(H/sub 2/)或氬氣(Ar)當作Carrier gas,將Cu-source帶入反應室中,使銅膜沈積在加溫的基板上.基板可為矽晶片,其上長有SiO/sub 2/或金屬矽化物(Metal silicide).是以本計畫亦將對Cu-CVD沈積於Si,Silicide,及SiO/sub 2/的選擇性(Selectivedeposition)加以探討.對於沈積之銅膜,本計畫將分析評估其均勻性□成長速率□微結構和電特性,以及影響上列各項之製程參數,如基板溫度 □氣體流量□反應時之氣壓,使用之Carrier gas等 ,以期尋求最佳之製程條件.由於銅與一些積體電路製程上常用的材料易於在高溫發生反應, 所以對Cu/Si,Cu/SiO/sub 2/及Cu/Silicide等系統的高溫穩定性,以及Barrier metal(如TiN,TiW,W等) 的效用和運用亦將為本計畫探討的主要項目.此外 ,在 Cu-CVD之研究過程中,並將隨時與Sputtering 所製備之銅膜作必要的比較 .	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	銅膜之化學氣相沈積	zh_TW
dc.subject	障壁材料	zh_TW
dc.subject	熱穩定性	zh_TW
dc.subject	Selective Cu-CVD	en_US
dc.subject	Barrier metal	en_US
dc.subject	Thermal stability	en_US
dc.title	銅膜之化學氣相沈積法及其在積體電路連線應用上之相關特性研究	zh_TW
dc.title	Cu-CVD Technology and Its Property Relevant to Interconnect Application	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫