Memory effect of oxide/SiC : O/oxide sandwiched structures" (vol 84, pg 2094, 2004)

標題:	Memory effect of oxide/SiC : O/oxide sandwiched structures" (vol 84, pg 2094, 2004)
作者:	Chang, TC Yan, ST Yang, FM Liu, PT Sze, SM 電子工程學系及電子研究所 Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
公開日期:	7-六月-2004
URI:	http://dx.doi.org/10.1063/1.1761633 http://hdl.handle.net/11536/26679
ISSN:	0003-6951
DOI:	10.1063/1.1761633
期刊:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Volume:	84
Issue:	23
起始頁:	4815
結束頁:	4815
顯示於類別：	期刊論文

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。