以德菲法預測半導體微影製程發展趨勢

Abstract

半導體微影製程被喻為延續摩爾定律最重要的關鍵技術之一，美國半導體工業協會(Semiconductor Industry Association, SIA)所發表的國際半導體技術路圖(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)，表示2016年22奈米的製程將應用於實際量產。 使用193奈米應用在微影製程上已經遇到了物理的極限，屆時勢必使用新的技術來應用於半導體生產的技術。本論文主要以技術預測的方法，透過德菲法，以匿名問卷的方式，向在此領域有專業經驗的專家請益，希望透過專家的意見，對半導體微影製程發展趨勢作一個預測。 透過專家們的意見，極短紫外光技術(EUV~13.5nm)是下世代微影技術發展的重心，並表示EUV設備可減少每年半導體微影製程的龐大支出，所面臨的問題也都一一在本論文中討論。