應用ACUSUM-C管制圖建構晶圓品質之逐步管制流程

Abstract

晶圓製造過程複雜，影響晶圓品質變異的來源有許多種，為了對晶圓製程進行有效的品質變異管制，過去中外文獻大多針對晶圓內變異(within wafer variation)、晶圓間變異(wafer to wafer variation)以及批量間變異(run to run variation)等三種變異發展出一些三階段管制變異的方法，事實上晶圓上量測值之區塊分布的變異也會影響製程，晶圓表面量測值區塊分布之改變將使得原本所選擇的量測點位置不再具代表晶圓真實品質之特性，以致影響後續圓內、晶圓間及批量間變異管制方法的成效。因此，本研究主要目的是建立一套四階段管制流程以同時監控晶圓區塊分布變異、晶圓內變異、晶圓間變異以及批量間變異。本研究首先利用MEWMA管制圖確認晶圓區塊分布是否改變，以確保所選取的量測點可真實反應晶圓狀況，且由於過去文獻用來管制三種變異來源之管制圖，對發生小偏移時偵測能力不佳，本論文應用ACUSUM-C管制圖來管制晶圓內、晶圓間及批量間變異，以對上述三種變異來源所產生的不同程度偏移進行有效的管制。本論文最後以新竹某晶圓廠提供之晶圓資料說明本流程確實有效可行。