矽質奈米級電子元件的研究

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林建宏	en_US
dc.contributor.author	Jian-Hong Lin	en_US
dc.contributor.author	張國明	en_US
dc.contributor.author	Kow-Ming Chang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T01:33:48Z	-
dc.date.available	2014-12-12T01:33:48Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009111566	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/43301	-
dc.description.abstract	操作奈米尺度的元件近年來在各個產業被都被廣泛的討論著。在奈米尺度下，材料的特性以及載子的傳輸的機制，因為表面原子數佔總原子數的比例上升，與塊材(Bulk Material)有相當程度上的差異。在本篇論文中，我們採用掃描探針微影術 (Scanning Probe Lithography)，以鄰近樣品表面的探針引起局部的陽極氧化反應，配合Tetramethylammonium Hydroxide (TMAH) 對矽的晶向選擇性蝕刻，在Silicon on Insulator (SOI) 的晶片上，製作出不同的奈米元件結構，探討在奈米尺度下的一些電流傳導現象。我們嘗試製作具有單電子傳輸特性的元件，並在低溫下確實的發現其特性。	zh_TW
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	矽質奈米元件	zh_TW
dc.subject	量子島	zh_TW
dc.subject	庫倫阻斷	zh_TW
dc.subject	Silicon nanodevice	en_US
dc.subject	quantum island	en_US
dc.subject	Coulomb blockade	en_US
dc.title	矽質奈米級電子元件的研究	zh_TW
dc.title	A Study of Silicon Nanoelectronics Devices	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

文件中的檔案：

156601.pdf

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。