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標題: 系統層級靜電放電測試下之積體電路暫態觸發閂鎖效應
TRANSIENT-INDUCED LATCHUP IN CMOS INTEGRATED CIRCUITS UNDER SYSTEM-LEVEL ESD TEST
作者: 許勝福
Sheng-Fu Hsu
柯明道
電子研究所
關鍵字: 閂鎖效應;系統層級靜電放電;Latchup;System-Level ESD Test
公開日期: 2005
摘要: 本論文將針對由系統層級靜電放電測試所引發的暫態觸發閂鎖效應進行研究分析。主要的研究方向包括：(1)了解造成此暫態觸發閂鎖效應的物理機制，(2)發展相關的元件層級(Component-Level)實驗設置，(3)評估各種面板層級(Board-Level)雜訊濾波器對抑制暫態觸發閂鎖效應的效用，以及(4)暫態觸發閂鎖效應相對於積體電路電源腳位上雜訊電壓之阻尼頻率(Damping Frequency)及阻尼因子(Damping Factor)的關係。除了上述有關暫態觸發閂鎖效應的研究主題外，由於高電壓(High Voltage, HV)互補式金氧半場效電晶體製程中的閂鎖效應一直以來受到工業界所重視。因此本論文也將針對高電壓互補式金氧半場效電晶體製程，研究各種不同的高壓元件結構對閂鎖效應敏感度的影響。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009111811
http://hdl.handle.net/11536/44368
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