標題: | 具空氣穩定性之共軛高分子垂直式電晶體 High-performance vertical transistor based on air-stable conjugated polymer |
作者: | 鍾謦合 孟心飛 冉曉雯 宋震國 Meng, Hsin-Fei Zan, Hsiao-Wen Sung, Cheng-Kuo 物理研究所 |
關鍵字: | 共軛高分子;垂直式電晶體;conjugated polymer;vertical transistor |
公開日期: | 2011 |
摘要: | 有機電子元件在近年來吸引許多學者專家的研究興趣,為了能夠實現低成本的技術,在大氣環境下使用簡易的溶液製程是值得去努力的。我們利用具有空氣穩定性的高分子材料PQT-12製作空間電荷限制電晶體。由於PQT-12較高的最高已佔據分子軌域,我們使用較高功函的MoO3/Al作為射極,改善載子注入的同時也維持良好的電晶體特性。操作電壓0.6 V,電流開關比4×104,開關擺幅105 mV/decade。除了不同注入電極,我們也分析孔洞通道直徑與絕緣層厚度對元件的影響。最後,以負載式反相器展現PQT-12空間電荷限制電晶體應用在低功率消耗電路的可行性。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079827501 http://hdl.handle.net/11536/47688 |
顯示於類別: | 畢業論文 |