Full metadata record
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dc.contributor.author沈志豪en_US
dc.contributor.authorShen, Zhi-Haoen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.authorZhang, Zun-Yanen_US
dc.contributor.authorXie, Zheng-Xiongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:09Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:09Z-
dc.date.issued1974en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT634430001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51036-
dc.description.abstract本文中述及高耐壓功率電晶體的設計與製造的方法。實驗結果:耐壓六00伏 特,直流放大最高為八。設計方法和理論均與實驗結果相差不遠;同時和一般工商 業所用之高耐壓電晶體大致符合,此證明所發展的設計製作方法的可行性。 本文共有一冊,全冊大略有一萬多字;文中分為五大節。 第一節 為介紹(其中介紹著者所使用製作方法之特性,並與其它之製作方法 作一概略之介紹和比較)。 第二節 為理論之推論,(其中包括兩部份:理論和設計。理論部份是根據一 般參考書之推論;而設計部份係由理論之推論而作有效之方法之設計)。 第三節 為實驗結果和程序。 第四節 為討論(其中討論製作時所遇之情形)。 第五節 為結論。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title高耐壓功率電晶體的設計與製造zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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