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dc.contributor.author黃念祖en_US
dc.contributor.authorHuang, Nian-Zuen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:13Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:13Z-
dc.date.issued1975en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT644430002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51045-
dc.description.abstract本文提供一種新雙極性電晶的製造技術及其理論的基礎,此種雙極性電晶體被 稱為雙射極擴散電晶體。雙射極電晶體的主要構造是利用二個射極擴散的方法,產 生高低射極摻雜濃度以提高電晶體的則極注入效率,其中第一射極共較低的濃度, 因而降低能隙的縮小效應;第二射極具有較高的濃度,因而增加對其極注入到射極 的反射電場,並且降低基極的電流。雙射極電晶體技術的基本好處有: (1)很容 易獲得超高的電流增益; (2)具有較高的則--基間接面及基--集間接面的崩 潰電壓; (3)較高的頻率響應; (4)很低的雜音; (5)造簡單,均勻性及收 獲率高; (6)特性更接近理想化之理論。根據上述的優良特性及好處,雙射極電 晶體技術可以推廣運用於功率電晶體,高頻低雜音電晶體,及線性電晶體的製造上 。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title新雙射極擴散雙極性電體的製造技術及理論zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文