新式Ｖ型雙擴散金氧半功率電晶體之模擬及製造技術

Abstract

本文提供一種新式垂直V型雙擴散金氧半場效電晶體的設計及製造方法。垂直V 型雙擴散金氧半場效電晶體具有下列基本的優點：1很高的輸入阻抗；2高的崩潰電 壓 ；3高電流的工作能力；4高的頻率響應；5低的輸出電阻；6固定的飽和跨導；7 較小的佔有面積；8沒有二次崩潰現象。在本文中，除了討論V型雙擴散金氧半場效 電晶體的設計原理及製造方法外，尚提出大略元件設理論以解釋實驗所得的元件數 據。根據垂直 V型雙擴散金氧半場效電晶體的優良特性，此種元件將可大量取代現 有功率雙極性電晶體的地位。