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dc.contributor.author曾成立en_US
dc.contributor.authorZeng, Cheng-Lien_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:14Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:14Z-
dc.date.issued1976en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT654430001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51056-
dc.description.abstract本文提供一種新式垂直V型雙擴散金氧半場效電晶體的設計及製造方法。垂直V 型雙擴散金氧半場效電晶體具有下列基本的優點:1很高的輸入阻抗;2高的崩潰電 壓 ;3高電流的工作能力;4高的頻率響應;5低的輸出電阻;6固定的飽和跨導;7 較小的佔有面積;8沒有二次崩潰現象。在本文中,除了討論V型雙擴散金氧半場效 電晶體的設計原理及製造方法外,尚提出大略元件設理論以解釋實驗所得的元件數 據。根據垂直 V型雙擴散金氧半場效電晶體的優良特性,此種元件將可大量取代現 有功率雙極性電晶體的地位。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title新式V型雙擴散金氧半功率電晶體之模擬及製造技術zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文