标题: | 新式V型双扩散金氧半功率电晶体之模拟及制造技术 |
作者: | 曾成立 Zeng, Cheng-Li 吴庆源 Wu, Qing-Yuan 电子研究所 |
关键字: | 电子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公开日期: | 1976 |
摘要: | 本文提供一种新式垂直V型双扩散金氧半场效电晶体的设计及制造方法。垂直V 型双扩散金氧半场效电晶体具有下列基本的优点:1很高的输入阻抗;2高的崩溃电 压 ;3高电流的工作能力;4高的频率响应;5低的输出电阻;6固定的饱和跨导;7 较小的占有面积;8没有二次崩溃现象。在本文中,除了讨论V型双扩散金氧半场效 电晶体的设计原理及制造方法外,尚提出大略元件设理论以解释实验所得的元件数 据。根据垂直 V型双扩散金氧半场效电晶体的优良特性,此种元件将可大量取代现 有功率双极性电晶体的地位。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT654430001 http://hdl.handle.net/11536/51056 |
显示于类别: | Thesis |