标题: 新式V型双扩散金氧半功率电晶体之模拟及制造技术
作者: 曾成立
Zeng, Cheng-Li
吴庆源
Wu, Qing-Yuan
电子研究所
关键字: 电子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公开日期: 1976
摘要: 本文提供一种新式垂直V型双扩散金氧半场效电晶体的设计及制造方法。垂直V
型双扩散金氧半场效电晶体具有下列基本的优点:1很高的输入阻抗;2高的崩溃电
压 ;3高电流的工作能力;4高的频率响应;5低的输出电阻;6固定的饱和跨导;7
较小的占有面积;8没有二次崩溃现象。在本文中,除了讨论V型双扩散金氧半场效
电晶体的设计原理及制造方法外,尚提出大略元件设理论以解释实验所得的元件数
据。根据垂直 V型双扩散金氧半场效电晶体的优良特性,此种元件将可大量取代现
有功率双极性电晶体的地位。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT654430001
http://hdl.handle.net/11536/51056
显示于类别:Thesis