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dc.contributor.author吳傳嘉en_US
dc.contributor.authorWu, Zhuan-Jiaen_US
dc.contributor.author張時春en_US
dc.contributor.author吳憲明en_US
dc.contributor.authorZhang, Shi-Chunen_US
dc.contributor.authorWu, Xian-Mingen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:27Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:27Z-
dc.date.issued1979en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684394022en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51128-
dc.description.abstract隨著半導體製造技術的進步,高可信度已成了設計記憶系統時之一個重要考慮因素。 目前錯誤校正碼已被用來校正計算機記憶單位裡所造成的錯誤。但是對於分包型記憶 系統,則需要一種新的碼來校正或偵測此系統所發生之錯誤。分包型記憶系統之結構 係指於一個記憶儲存片或儲存卡中,拉出多條線,分別代表一個字碼中某些個字元。 本論文提出兩種處理分包型記憶系統所發生之錯誤的校正碼。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject分包型記憶系統zh_TW
dc.subject錯誤校正碼zh_TW
dc.subject資訊zh_TW
dc.subject電腦zh_TW
dc.subject電腦科學zh_TW
dc.subjectINFORMATIONen_US
dc.subjectCOMPUTERen_US
dc.subjectINFORAMTIONen_US
dc.subjectCOMPUTER-SCIENCEen_US
dc.title分包型記憶系統之錯誤校正碼zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department資訊科學與工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文