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dc.contributor.author高耿輝en_US
dc.contributor.authorGao, Geng-Huien_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:29Z-
dc.date.issued1979en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430005en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51150-
dc.description.abstract本文利用電子束功率的控制,鈦酸鋇陶瓷體的燒結溫度與薄膜退火溫度三者間的適度 配合,已成功地將具有鐵電性的鈦酸鋇薄膜鍍於矽晶片上。經過一連串的測試實驗, 發現金屬一半導性鈦酸鋇一金屬及金屬一半導性鈦酸鋇一矽系統,能利用二個脈衝使 其產生互相交換的記憶狀態;此性質對於製作非揮發性記憶器極具潛力。此外,本文 利用鈦酸鋇本身所具有的壓電性,可將金屬一半導性鈦酸鋇一矽系統製成壓電轉換二 極體。若以非導性鈦酸鋇薄膜取代金絕半場效電晶體的閘極絕緣層,更可形成時下國 際科技努力發展的金一鐵電一半非揮發性記憶場效晶體。以上三者都陸續地由實驗證 明成功。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject鈦酸鋇zh_TW
dc.subject鍍於矽上zh_TW
dc.subject元件之應用zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title鈦酸鋇鍍於矽上之備製及其元件之應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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