鈦酸鋇鍍於矽上之備製及其元件之應用

Abstract

本文利用電子束功率的控制，鈦酸鋇陶瓷體的燒結溫度與薄膜退火溫度三者間的適度 配合，已成功地將具有鐵電性的鈦酸鋇薄膜鍍於矽晶片上。經過一連串的測試實驗， 發現金屬一半導性鈦酸鋇一金屬及金屬一半導性鈦酸鋇一矽系統，能利用二個脈衝使 其產生互相交換的記憶狀態；此性質對於製作非揮發性記憶器極具潛力。此外，本文 利用鈦酸鋇本身所具有的壓電性，可將金屬一半導性鈦酸鋇一矽系統製成壓電轉換二 極體。若以非導性鈦酸鋇薄膜取代金絕半場效電晶體的閘極絕緣層，更可形成時下國 際科技努力發展的金一鐵電一半非揮發性記憶場效晶體。以上三者都陸續地由實驗證 明成功。