在氧化前以磷原子擴散在背面產生之斷層去除氧化時產生之矽疊晶錯誤

Abstract

本文提供一種去除由於長面罩用之二氧化矽而產生在矽晶片內之疊昌錯誤，並降低已 形成之疊晶錯誤的電活性之方法，此種方法為：在長二氧化矽之前，在N 型矽晶片之 背面擴1 小時以上的磷原子，而形成斷層，這些斷層會將形成矽疊晶錯誤之胚胎，如 重金屬雜質等，吸收到矽晶片之背面，而使做元件之正面的缺陷降至最低之程度，以 達到改善元件之特性，提高元件生產線上之成功率之目的。