標題: | 反向層-金絕半太陽電池 |
作者: | 謝泉隆 Xie, Quan-Long 吳慶源 Wu, Qing-Yuan 電子研究所 |
關鍵字: | 反向層;金絕半太陽電池;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1979 |
摘要: | 本文中以化學氣相堆積成長的氧化層與熱成長的氧化層製造「反向層─金絕半」矽太 陽電池,並比較兩者之特性。化學氣相堆積氧化層所製者顯示出較佳之特性,其最佳 文章為百分之十二點五。文中亦推導「金絕半」太陽電池的近似理論,並用以討論薄 絕緣層對「金絕半」太陽電池特性之影響,該理論亦可解釋實驗中若干奇異現象。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430032 http://hdl.handle.net/11536/51180 |
Appears in Collections: | Thesis |