反向層－金絕半太陽電池

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	謝泉隆	en_US
dc.contributor.author	Xie, Quan-Long	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:01:37Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:01:37Z	-
dc.date.issued	1979	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430032	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51180	-
dc.description.abstract	本文中以化學氣相堆積成長的氧化層與熱成長的氧化層製造「反向層─金絕半」矽太陽電池，並比較兩者之特性。化學氣相堆積氧化層所製者顯示出較佳之特性，其最佳文章為百分之十二點五。文中亦推導「金絕半」太陽電池的近似理論，並用以討論薄絕緣層對「金絕半」太陽電池特性之影響，該理論亦可解釋實驗中若干奇異現象。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	反向層	zh_TW
dc.subject	金絕半太陽電池	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	反向層－金絕半太陽電池	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文