製造在低壓化學氣相沈積複晶矽膜上之複晶氧化層及金氧半電晶體的特性及分析

Abstract

本文研究在低壓化學氣相沉積復晶矽膜上熱成長二氧化矽之電子捕捉現象, 并發展出 一階非線性系統捕捉理論。利用導出的簡易模型, 實驗的結果可以很準確的加以解釋 ; 同時, 根據數值模擬的結果, 電子捕捉的重要參數可以測出。最后, 本文利用熱氮 化技術及雷射退火處理, 以改進復晶二氧化矽層之特性。根據實驗的結果, 雷射退火 處理的效果較佳。 同時, 本文亦成功地在復晶矽膜上制造出N 型及P 型加強模式的金氧半薄膜場效電晶 體。根據實驗的結果, 證實在非再結晶復晶矽膜上制造出之金氧半場效電晶體, 其載 子的移動率非常的低, 且臨界電壓非常的高。在實驗計測中, 發現共軸鋁閘薄膜金氧 半場效電晶體有電壓控制負電阻的特性, 此種現象的原因亦加以討論。