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dc.contributor.author徐元佑en_US
dc.contributor.authorXu, Yuan-Youen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430018en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51384-
dc.description.abstract本文導出具有後表面電場太陽電池在低階電流時之電流－電壓通式：在式中，能隙 收縮、載體遷移率、非均勻性雜質分佈體內及表面結合速率均加以考慮。利用電流 －電壓的關係式，太陽電池的開路電壓、短路電流，以及電流的加成原理，均被詳 細討論。由理論分析顯示，在低階電流下，光之結合電流及串聯電阻無法省略時， 加成原理不一定成立。 在本文中電池之設計及製造技術亦加以討論，尤無反一反射層的情況下，俱使表面 太陽電池在 AMI 照射下的短路電流為 27 毫╱平方厘米，開路電壓為 561 毫伏， 填充因素為 0.713。 #2811420 #2811420zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject後表面電場zh_TW
dc.subjectPN接面太陽電池zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title具有後表面電場PN接面太陽電池之設計與製造zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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