具有後表面電場PN接面太陽電池之設計與製造

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	徐元佑	en_US
dc.contributor.author	Xu, Yuan-You	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:05Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:05Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430018	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51384	-
dc.description.abstract	本文導出具有後表面電場太陽電池在低階電流時之電流－電壓通式：在式中，能隙收縮、載體遷移率、非均勻性雜質分佈體內及表面結合速率均加以考慮。利用電流－電壓的關係式，太陽電池的開路電壓、短路電流，以及電流的加成原理，均被詳細討論。由理論分析顯示，在低階電流下，光之結合電流及串聯電阻無法省略時，加成原理不一定成立。在本文中電池之設計及製造技術亦加以討論，尤無反一反射層的情況下，俱使表面太陽電池在 AMI 照射下的短路電流為 27 毫╱平方厘米，開路電壓為 561 毫伏，填充因素為 0.713。 #2811420 #2811420	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	後表面電場	zh_TW
dc.subject	PN接面太陽電池	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	具有後表面電場PN接面太陽電池之設計與製造	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文