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dc.contributor.author張俊明en_US
dc.contributor.authorZhang, Zun-Mingen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:05Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430023en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51389-
dc.description.abstract本文利用氨氣與矽單晶的直接反應，成功地在高溫下成長高品質的氮化矽膜，並完 成數種熱成長氮化矽膜的重要應用。 在製作過程中，氟酸及氫氣成功地用來去除矽晶片表面自然成長的氧化薄膜，並藉 此獲得高品質的氮化矽膜。實驗結果發現，攝氏五百度至一千兩百度成長的均勻氮 化矽膜，其厚度雖小於一百埃，但對氧化、化學藥劑及磷擴散的抵抗能力甚強，且 其介電常數比傳統的氧化矽膜大。 本文利用五十埃的熱成長氮化矽膜作為閘極絕緣層材料，亦成功地研製出低臨界電 壓的 n －通道金－絕－半電晶體； 並且，藉熱成長氮化矽膜的自限特性，成功地 發展完成品質良好且易於複製的金－絕－矽開關元件及金－絕－半太陽電池。 #2811435 #2811435zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject熱成長氮化矽膜zh_TW
dc.subject製作及應用zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title熱成長氮化矽膜的製作及應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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