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dc.contributor.author郭增文en_US
dc.contributor.authorGuo, Zeng-Wenen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:06Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:06Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430032en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51399-
dc.description.abstract本文提供及研究一種新式雙射極擴散橫向雙極性電晶體及一種新式雙射極擴散激注 器的積體激注元件。同時，這些新式元件的物理特性模型亦建立完成，其中高低接 面、高階激注及高摻雜半導體的能隙收縮效應均被考慮進去。在導出的元件物理模 型中，各分向電流及儲存電荷、各電流增益及傳播延遲時間，均以元件參數及製作 數據加以表示，以利計算機輔助最佳設計。 根據實驗的結果，雙射極擴散的橫向雙極性電晶體具有較高的電流增益、較小的漏 電流及飽和電阻；且雙射極擴散激注器製造完成的 25 級積注連串振盪器不但具有 較短的傳播延遲時間，而且具有較小的功率－延遲時間乘積。 發展完成的物理模型亦用來模擬實際製造完成的元件，發現彼此相當 合。 #2811414 #2811414zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject高低接面的zh_TW
dc.subject橫向雙載子電晶體zh_TW
dc.subject積體激注元件zh_TW
dc.subject物理模擬及製造zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title具有高低接面的橫向雙載子電晶體及積體激注元件的物理模擬及製造zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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