丙酮稀釋的水溶液腐刻硫酸三甘氨酸技術的探討

Abstract

本文探討硫酸三甘氨酸在丙酮稀釋水溶液中的選擇性腐蝕，硫酸三甘氨酸在不同丙酮 濃度的溶液和不同溫度下的溶解度和腐蝕速率亦被測量。應用傳統的半導體元件製造 技術的照相術，然後用腐蝕速率數據來控制硫酸三甘氨酸單晶b 面的腐蝕深度，得到 令人滿意的結果。 腐蝕深度和橫向腐蝕可以由橫載面的相片上直接測量出來，其比值約為1.85, 研究結 果顯示, 利用選擇性腐蝕技術來製造數種硫酸三甘氮酸焦電元件的可行性甚高。