短通道金氧半場效電晶體理論模型之研究

Abstract

本文根據波爾滋曼分布以及定準一費米能階近似理論, 發展出一種關於金氧半場效體 臨界電壓的一維空間理論模型。此種模包涵了電荷分配效應和沿通道方向少數載子的 準一費米能階變化的觀念利用此種理論能很好地解釋金氧半場效體的基體偏壓效應和 次臨界傳導效應。 使用局部氧化的技術一種3.5 微米通道長度的矽–閘金氧半場效體已被成功地制出。 在本文中次臨界電流和臨界電壓均很仔細地測出并和理論模型比較。