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dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.contributor.author林京元en_US
dc.contributor.authorLin, Jing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:09Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:09Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430059en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51429-
dc.description.abstract本文利用化學堆積系統並藉矽烷與氨間的化學反應,成長氮化矽膜。根據實驗的結 果,證明高品質、可複製的氮化矽膜可利用橫式反應系統製造出來,其介電電場強 度可達 9.1 × 10 □∼ 2.48 × 10 □ V ╱ cm,而折射率在 1.95 左右。 根據 電流-電壓的特性得知,通過氮化矽膜的電流效應為一種體限傳導,且藉富蘭克爾 -鮑爾( Frenkel - poole )理論可求出氮化矽膜的動態介電常數。 本文亦發展完成電漿腐蝕技術,以作為腐刻氮化矽膜之用。實驗結果發現,利用電 漿腐蝕法所得的電漿腐刻速率,比傳統熱磷酸腐蝕法快,約每分鐘數百埃。藉預熱 與稀釋的技術,電漿腐蝕氮化矽的速率證明更容易地加以控制。利用發展完成的化 學氣相堆積技術,高品質氮化矽膜亦應用於記憶元件的製造上。實驗結果,金-氮 -氧-半電容及電晶體均具有良好的記憶效應,且儲存在二氧化矽與氮化矽之間的 電荷可儲存三年以上。新式的金-氮-氮-半電容結構亦在本文中加以研究,並且 證明此種結構亦具有記憶的性能。雖然金-氮-氮-半結構在初步的實驗僅具數十 小時的記憶時間,但氮化技術成長的熱氮化矽膜比傳統的二氧化矽薄膜更容易控制 ,此技術值得再加以深入研究。 #2811434 #2811434zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject化學氣相堆積zh_TW
dc.subject氮化矽zh_TW
dc.subject金-氮-氧zh_TW
dc.subject半元件技術zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title化學氣相堆積氮化矽和金-氮-氧半元件技術zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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