以展阻系統研究磞驅入擴散曲線

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	何適	en_US
dc.contributor.author	HE,SHI	en_US
dc.contributor.author	李虫仁	en_US
dc.contributor.author	Li, Hui-Ren	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:09Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:09Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430064	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51434	-
dc.description.abstract	本文成功的在CYBER170/720計算機上建立展阻系統的程式。應用分段積分的關念,一個40點的展阻曲線只要在短短的3 分鐘內就能變為雜質濃度曲線。比起以往利用ASR- 100 展阻系統應用手冊上單層理論所算出的雜質濃度曲線, 在準確度上跨了一大步。應用陽極氧化的結果, 本文客觀的評估展阻系統的準確度。應用展阻系統所測得的雜質曲線,本文也成功的建立了硼在1200℃濕氧狀況下驅入擴散的模型。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	展阻系統	zh_TW
dc.subject	磞散曲線	zh_TW
dc.subject	分段積分	zh_TW
dc.subject	ASR-100展阻系統	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	CYBER170/720	en_US
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	以展阻系統研究磞驅入擴散曲線	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文