矽質PLN-四象限光二極體之設計及製作

Abstract

本文介紹一種偵測位置的半導體元件一矽質PIN 四象限光二極體, 說明其原理與設計 所須考慮要點并提供一套合宜的製作程序。由此製作出來的二極體在60伏特負向偏壓 100 歐姆負載的工作條件下, 它表現出偵測位置的特性與極高的工作速度( 小於50奈 秒 ) 和優良的光電轉換能力, 但卻隨而伴有100 奈安的漏電流。