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dc.contributor.author王修明en_US
dc.contributor.authorWang, Xiu-Mingen_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorLi, Chong-Renen_US
dc.contributor.authorLei, Tian-Fuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:11Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:11Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430068en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51439-
dc.description.abstract本文介紹一種偵測位置的半導體元件一矽質PIN 四象限光二極體, 說明其原理與設計 所須考慮要點并提供一套合宜的製作程序。由此製作出來的二極體在60伏特負向偏壓 100 歐姆負載的工作條件下, 它表現出偵測位置的特性與極高的工作速度( 小於50奈 秒 ) 和優良的光電轉換能力, 但卻隨而伴有100 奈安的漏電流。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject矽質PIN-一四象限zh_TW
dc.subject半導體元件zh_TW
dc.subject光電轉換能力zh_TW
dc.subject偵測位置zh_TW
dc.subject二極體zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title矽質PLN-四象限光二極體之設計及製作zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文