金絕半太陽電池的設計及製造技術

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	錢河清	en_US
dc.contributor.author	Qian, He-Qing	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:12Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:12Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430091	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51465	-
dc.description.abstract	在本文中，金絕半太陽電池的基本理論，包括蕭基能障的高度，絕緣層中的電位降均加以導出並討論多數載體電流與少數載體電流，對金絕半太陽電池的作用。在實驗上證實，使用化學氣相堆積法成長反－反射層可增加短路電流，使用氨氣氮化法成長薄絕緣層可增加開路電壓及添充率。最後，具有後表面電場的金絕半太陽電池亦研製成功，其有效面積的轉換效率可達百分之十五以上 #2811441 #2811441	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	金絕半太陽電池	zh_TW
dc.subject	製造技術	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	金絕半太陽電池的設計及製造技術	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文