完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 謝清麟 | en_US |
dc.contributor.author | Xie, Qing-Lin | en_US |
dc.contributor.author | 陳茂傑 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Mao-Jie | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:13Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:13Z | - |
dc.date.issued | 1980 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430095 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51470 | - |
dc.description.abstract | 本文提供一種簡易製造矽質透穿崩潰光二極體之方法。該法融合離子怖植及傳統擴散 技術,應用高阻值晶片,并適當控制P 層之擴散深度。由此製成二極體具有較低之工 作電壓,且未減低電流增益值。此光二極體對0.1um 波長之量子效率(Puantum effic ievcy)可達84%,倘若在高反向偏壓時之漏電流能獲致一步改善, 則此光二極體必將提 供許多更佳之特性, 此項工作當為再努力之目標。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽質透穿崩潰型光 | zh_TW |
dc.subject | 璃子佈植 | zh_TW |
dc.subject | 傳統擴散技術 | zh_TW |
dc.subject | 高阻值晶片 | zh_TW |
dc.subject | 量子效率 | zh_TW |
dc.subject | 光二極體 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | (QUANTUM-EFFICIENCY) | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 矽質透穿崩潰型光二極體之設計及製作 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |