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dc.contributor.author謝清麟en_US
dc.contributor.authorXie, Qing-Linen_US
dc.contributor.author陳茂傑en_US
dc.contributor.authorChen, Mao-Jieen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:13Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:13Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430095en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51470-
dc.description.abstract本文提供一種簡易製造矽質透穿崩潰光二極體之方法。該法融合離子怖植及傳統擴散 技術,應用高阻值晶片,并適當控制P 層之擴散深度。由此製成二極體具有較低之工 作電壓,且未減低電流增益值。此光二極體對0.1um 波長之量子效率(Puantum effic ievcy)可達84%,倘若在高反向偏壓時之漏電流能獲致一步改善, 則此光二極體必將提 供許多更佳之特性, 此項工作當為再努力之目標。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject矽質透穿崩潰型光zh_TW
dc.subject璃子佈植zh_TW
dc.subject傳統擴散技術zh_TW
dc.subject高阻值晶片zh_TW
dc.subject量子效率zh_TW
dc.subject光二極體zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subject(QUANTUM-EFFICIENCY)en_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title矽質透穿崩潰型光二極體之設計及製作zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文