完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 蔣念祖 | en_US |
dc.contributor.author | Jiang, Nian-Zu | en_US |
dc.contributor.author | 潘犀靈 | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | Pan, Xi-Ling | en_US |
dc.contributor.author | Lei, Tian-Fu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:33Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:33Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714123006 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51665 | - |
dc.description.abstract | 本文主要討論液相磊晶系統及技術,並以此技術將砷化鎵薄膜磊長在砷化鎵晶片的表 面。我們仔細研究了影響實驗結果的因素,對此加以探討分析並提出加以改進的建議 ,以確定所建立的液相磊晶系統實行最適當和最有效的操作程序。 在磊晶方面,為了控制磊晶層的載子濃度,我們加了一些已知特性的雜質,並做了一 連串的測量實驗,例如:電子顯微鏡及光學顥微鏡的表面測量、霍爾效應測量和蕭特 基二極體的電容-偏壓、電流-偏壓等特性測量,目的在於使所磊長出的薄膜的特性 能完全控制並重覆再生,更者,薄膜的晶格方向,我們利用了X光繞射光譜來分析。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 液相磊晶 | zh_TW |
dc.subject | 砷化鎵薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 載子濃度 | zh_TW |
dc.subject | 霍爾效應 | zh_TW |
dc.subject | 蕭特基二極體 | zh_TW |
dc.subject | 電容-偏壓 | zh_TW |
dc.subject | 電流-偏壓 | zh_TW |
dc.subject | X 光繞射光譜 | zh_TW |
dc.subject | 光電學 | zh_TW |
dc.subject | 光學 | zh_TW |
dc.subject | 雷射學 | zh_TW |
dc.subject | 光電工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRO-OPTICS-ENGINEERING | en_US |
dc.subject | OPTICS | en_US |
dc.subject | LASER | en_US |
dc.subject | OPTI-ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 液相磊晶砷化鎵薄膜及其特性 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |