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dc.contributor.author蔣念祖en_US
dc.contributor.authorJiang, Nian-Zuen_US
dc.contributor.author潘犀靈en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorPan, Xi-Lingen_US
dc.contributor.authorLei, Tian-Fuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:33Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:33Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714123006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51665-
dc.description.abstract本文主要討論液相磊晶系統及技術,並以此技術將砷化鎵薄膜磊長在砷化鎵晶片的表 面。我們仔細研究了影響實驗結果的因素,對此加以探討分析並提出加以改進的建議 ,以確定所建立的液相磊晶系統實行最適當和最有效的操作程序。 在磊晶方面,為了控制磊晶層的載子濃度,我們加了一些已知特性的雜質,並做了一 連串的測量實驗,例如:電子顯微鏡及光學顥微鏡的表面測量、霍爾效應測量和蕭特 基二極體的電容-偏壓、電流-偏壓等特性測量,目的在於使所磊長出的薄膜的特性 能完全控制並重覆再生,更者,薄膜的晶格方向,我們利用了X光繞射光譜來分析。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject液相磊晶zh_TW
dc.subject砷化鎵薄膜zh_TW
dc.subject載子濃度zh_TW
dc.subject霍爾效應zh_TW
dc.subject蕭特基二極體zh_TW
dc.subject電容-偏壓zh_TW
dc.subject電流-偏壓zh_TW
dc.subjectX 光繞射光譜zh_TW
dc.subject光電學zh_TW
dc.subject光學zh_TW
dc.subject雷射學zh_TW
dc.subject光電工程zh_TW
dc.subjectELECTRO-OPTICS-ENGINEERINGen_US
dc.subjectOPTICSen_US
dc.subjectLASERen_US
dc.subjectOPTI-ELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title液相磊晶砷化鎵薄膜及其特性zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文