利用弱電場電解質反射技術研究單晶型矽晶片之特性

Abstract

調變式反射技術所得之實驗結果可以提供許多能帶理論計算所需要的資料，電解質反 射技術屬於其中之一，本文所言即為如何設置一套電解質反射實驗裝置，，及利用該 裝置去測試ｎ型矽晶片，以實驗結果計算能帶理論中電子躍遷能，Ｅg 及能寬Ｔ兩變 數並與他人之結果比較以驗證該裝置可茲應用。 實驗之中並且測試所得能譜的峰值與所加之調變電壓的峰值為一線性關係，經由此關 係及與理論之印證，證明所做實驗是在弱電場範圍之內。此外，待測晶片上的接點之 電阻特性亦經測試。所得之能譜亦與理論公式互相比較。 經由實驗結果及計算結果與他人之結果相比較證實所設置之實驗裝置為可茲應用。