Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 張玲月 | en_US |
dc.contributor.author | Zhang, Ling-Yue | en_US |
dc.contributor.author | 郭雙發 | en_US |
dc.contributor.author | Guo, Shuang-Fa | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:38Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:38Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51723 | - |
dc.description.abstract | 本文針對半導體元件發展出一維的數值分析程式,此程式明確地陳述如何解蕭克萊半 導體方程,這些方程包括:電子及電洞的傳渡方程式,連續方程式及帕松方程式;而 且以電洞的準費米電位及空乏電位為變數。在模擬電學特性時把與濃度及電場相關的 移動率、高濃度時產生的能隙縮小和多陷阱復合均考慮在內。本文將呈現正負接面的 內部分佈、電容一電壓特性、電流一電壓特性以及暫電態流與斷路電壓衰減等結果, 並且特別討論電學特性受陷阱濃度之影響。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 正負接面 | zh_TW |
dc.subject | 數值分析程式 | zh_TW |
dc.subject | 半導體元件 | zh_TW |
dc.subject | 元件 | zh_TW |
dc.subject | 蕭克萊半導體方程 | zh_TW |
dc.subject | 電學特性 | zh_TW |
dc.subject | 準費米電位 | zh_TW |
dc.subject | 空乏電位 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 正負接面之數值研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |