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dc.contributor.author張玲月en_US
dc.contributor.authorZhang, Ling-Yueen_US
dc.contributor.author郭雙發en_US
dc.contributor.authorGuo, Shuang-Faen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51723-
dc.description.abstract本文針對半導體元件發展出一維的數值分析程式,此程式明確地陳述如何解蕭克萊半 導體方程,這些方程包括:電子及電洞的傳渡方程式,連續方程式及帕松方程式;而 且以電洞的準費米電位及空乏電位為變數。在模擬電學特性時把與濃度及電場相關的 移動率、高濃度時產生的能隙縮小和多陷阱復合均考慮在內。本文將呈現正負接面的 內部分佈、電容一電壓特性、電流一電壓特性以及暫電態流與斷路電壓衰減等結果, 並且特別討論電學特性受陷阱濃度之影響。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject正負接面zh_TW
dc.subject數值分析程式zh_TW
dc.subject半導體元件zh_TW
dc.subject元件zh_TW
dc.subject蕭克萊半導體方程zh_TW
dc.subject電學特性zh_TW
dc.subject準費米電位zh_TW
dc.subject空乏電位zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title正負接面之數值研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文