以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層

標題:	以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層 The selective epitaxy of Si using N+ ion implantation
作者:	董建良羅正忠電子研究所
公開日期:	1984
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732428028 http://hdl.handle.net/11536/52049
顯示於類別：	畢業論文