次微米互補式金氧半導體技術

Abstract

本文針對次微N 通道金氧半導體及互補式金氧半導體提出一套完整之製程。新製程技 術包含淡濃度源一洩極，微鳥嘴全陷式氧化層，雙層通道離子佈植，淺深度源一洩極 及薄閘氧化曾的組合，以期克服傳統金氧半場效電晶體之幾何結構縮小所面臨的諸多 限制，實驗中使用10x 晶圓步進機及乾式蝕刻機以定義次微米閘區長度及其他微影層 次。實驗證明全陷式氧化層技術所改善之表面平坦化比傳統局部氧化技術更能提供較 佳微距控制。並且，次微米N 通道金氧半導體及互補式金氧半導體之電流一電壓特性 及許多電性參數均加以計測及分析。根據所得數據的比較，可知淡濃度源一洩極結構 之優劣點。另外，起始電壓對閘寬度之變化的特性曲線亦詳加分析，同時對實驗所得 之起始電壓特性曲線之異常現象亦加以說明。