半導體表面授子型雜質的基態

Abstract

我們利用李榮章先生等人所提出的微優，變分趨近來計算半導體表面授子型雜質的基 態能階。首先我們選擇均向的氫原子式波函數作為未擾動波函數，再由此波函數作第 一階微擾修正，其將此結果與變分法所得的結果作一比較。除此之外，我們所用的變 分嘗試波函數也被用來改善第一階微擾修正的結果，並且檢驗其正確性。最後，一個 由二維氫原子式波函數與一維氫原子式波函數作乘積所形成嘗試波函數被用來計算基 態能階，並與前述結果比較。